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科研人员发现电场诱发磁补偿相变调控磁振子自旋流新机制 |
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西安交通大学研究人员针对磁性材料中的磁振子自旋流达不到磁振子器件所要求的信号分辨率和工作温度问题，设计了Pt/Gd3Fe5O12/MgO/PMN-PT异质结，并提出了电场诱发磁补偿相变调控磁振子自旋流的新机制，近日该研究成果发表在《先进材料》上。
研究表明，当该异质结被施加电场后，PMN-PT压电单晶基底将产生电致应变。电致应变在亚铁磁绝缘体Gd3Fe5O12中诱发了磁补偿相变。在该相变过程中，Gd3Fe5O12的磁子晶格的磁矩方向发生翻转，进而导致其磁振子自旋流极化方向翻转，并在室温附近实现了电场对磁振子自旋流信号的非易失正负切换调控。该研究工作为纯电场读写的非易失、低能耗、高集成磁振子器件提供了新的材料设计方案和物理机制。
相关论文信息： https://doi.org/10.1002/adma.202312137
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